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連發(fā)Nature！浙江大學(xué)狄大衛(wèi)教授團(tuán)隊(duì)發(fā)光二極管系列進(jìn)展
更新時(shí)間：2022-08-23
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研究背景
研究方法
在這項(xiàng)工作中測(cè)試了17種不同類型的LED，首先選擇鈣鈦礦LED，制備了以近紅外發(fā)光的碘基材料FPI、NFPI以及綠色發(fā)光的溴基材料PCPB的鈣鈦礦LED，這三種LED的最低驅(qū)動(dòng)電壓分別是1.3V、1.3V及1.9V，LED中光子的最高能量分別為1.55eV、1.56eV及2.4eV。這表明三種材料的LED均可在低于帶隙所限制的最小閾值電壓下發(fā)光。接下來(lái)選擇幾種不同的OLED、QLED以及商業(yè)III–V族半導(dǎo)體LED，得到的結(jié)論與之前的相似。
圖 1 不同種LED的電致發(fā)光強(qiáng)度-電壓的關(guān)系。
（a. 近紅外發(fā)射FAPBI3(FPI)鈣鈦礦LED；b.近紅外發(fā)射NFPI鈣鈦礦LED；c.綠光PCPB鈣鈦礦LED；d.基于Ir(ppy)3的磷光OLED；e.基于4CzlPN的TADF OLED；f.基于F8BT的聚合物OLED；g.基于紅熒烯的熒光小分子OLED；h.基于CdSe/ZnS QDs的II-VI QLED；i.基于 GaAsP 的商用 III-V 無(wú)機(jī) LED 。）
研究還發(fā)現(xiàn)幾種鈣鈦礦LED驅(qū)動(dòng)電壓的數(shù)值從帶隙上方調(diào)整到下方時(shí)，LED的電致發(fā)光EL譜線峰形及峰位都不變。
圖2. 鈣鈦礦LED在高于及低于帶隙所限制閾值電壓下的EL光譜
研究方法
圖3. 不同LED在近帶隙和亞帶隙電壓下的光致發(fā)光強(qiáng)度-電壓曲線
圖4. 用于測(cè)量在亞帶隙電壓下的 EL 光譜的實(shí)驗(yàn)裝置示意圖
研究背景
與鈣鈦礦太陽(yáng)能電池類似，鈣鈦礦LED的不穩(wěn)定性是一重大難題。近年來(lái)，鈣鈦礦LED在外量子效率（EQE）方面發(fā)展十分迅速，但其在連續(xù)工作條件下T50工作壽命（亮度降低到其初始值一半所需時(shí)間）一般在10到100小時(shí)量級(jí)，而實(shí)際應(yīng)用需器件在高EQE、寬輻亮度范圍下實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的工作壽命（高于10000小時(shí)）。
和III-V族半導(dǎo)體及有機(jī)半導(dǎo)體相比，鈣鈦礦在器件工作過(guò)程中存在額外的降解通道。電場(chǎng)作用下的離子遷移和鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)的不穩(wěn)定性，是影響鈣鈦礦器件穩(wěn)定性的關(guān)鍵問(wèn)題。解決這些問(wèn)題，以同時(shí)實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)壽命與高效率，是領(lǐng)域的重大挑戰(zhàn)。
研究亮點(diǎn)
作者選取了在高性能太陽(yáng)能電池與LED均有應(yīng)用的FAPbI3鈣鈦礦作為基本研究對(duì)象，引入雙極性分子SFB10，實(shí)現(xiàn)了高效和超穩(wěn)定的近紅外（~800 nm）鈣鈦礦LED。器件峰值外量子效率(EQE)為22.8%，峰值能量轉(zhuǎn)化效率(ECE)為20.7%。這些鈣鈦礦LED展現(xiàn)了優(yōu)異的穩(wěn)定性，在5 mA/cm2下連續(xù)運(yùn)行超過(guò)3600h（5個(gè)月）沒(méi)有觀察到輻亮度衰減。據(jù)加速老化測(cè)試獲得，在初始輻亮度（或電流密度）分別為0.21 W/sr/m2 (0.7 mA/cm2)時(shí)，預(yù)期T50工作壽命為2.4×106h (約270年)。
圖6：鈣鈦礦樣品結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和熒光穩(wěn)定性
論文提到的測(cè)試方法中，使用海洋光學(xué)QE Pro光譜儀進(jìn)行EQE的J-V曲線測(cè)量，使用Maya2000Pro記錄角電致發(fā)光強(qiáng)度分布。
?QE Pro Maya2000 Pro 光譜儀
參考文獻(xiàn)
結(jié)語(yǔ)
超低驅(qū)動(dòng)電壓的研究為超低壓LED器件的發(fā)展以及照明、顯示及通信行業(yè)的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。超長(zhǎng)的器件壽命有望提振鈣鈦礦LED領(lǐng)域的信心，這些近紅外LED可用于近紅外顯示、通訊與生物等應(yīng)用，為鈣鈦礦發(fā)光技術(shù)進(jìn)入產(chǎn)業(yè)應(yīng)用鋪平了道路。
